1935年1月1日出生于浙江宁波，微纳电子科学家、教育家，中国科学院院士，北京大学教授、博士生导师，北京大学微电子学研究院院长，北京大学微电子学系主任。

1958年从北京大学物理系毕业后留校任教；1995年当选为中国科学院院士；2000年作为发起人之一，创建了中芯国际集成电路制造（上海）有限公司；2003年获得何梁何利基金科学与技术进步奖；2006年获得北京大学首届蔡元培奖 。

主要从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。

1956年，周恩来总理亲自主持制定了12年科学规划后，半导体作为五大门类学科之一得以重点发展，王阳元作为北京大学第一批学生被重点培养；同年，加入中国共产党。

成功主持研究硅栅N沟道技术和中国第一块1024位MOS DRAM（MOS：金属氧化物半导体，Metal Oxide Semiconductor； DRAM：动态随机存取存储器，Dynamic Random Access Memory），推动MOS集成电路技术的发展。在国际上提出了多晶硅薄膜氧化动力学新模型和应用方程以及与同事合作在国际上提出MOS绝缘层中可动离子和电荷陷阱新的测量方法。率先开发成功多晶硅发射极超高速集成电路技术，推动中国双极集成电路技术发展。创建了SOI（绝缘衬底上的硅 Silicon-On-Insulator）新器件研究室等机构，主持建设了中国第一个国家级微米/纳米加工技术重点实验室。在SOI新器件与电路和MEMS系统（MEMS：微机电系统，Micro-Electro-Mechanical System）等领域均有重大建树。

有20项重大科技成果。1978年获全国科学大会奖，1991年获国家教委科技进步一等奖，2003年获何梁何利科技进步奖，2007年获国家科技进步二等奖，等19项国家级和部委级奖励。